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砷化镓技术原理
发布时间:2017-07-06 | 浏览:863次 【关闭此页

用于测量高压温度的LumaSHIELD光纤温度传感器是基于GaAs(砷化镓)半导体对白光吸收/传输原理所开发的一款产品。温度变化对半导体的影响是众所周知并且可以预判的。随着半导体温度的升高,半导体的传输谱线(未被吸收的光线)跃迁成为更长的波长谱线。在任意给定的温度下,一个特定的传输波长谱线的跃迁范围可以从初始的0%100%。这种跃迁被称作吸收跃变,发生吸收跃变的具体波长和温度之间有可预测的固定关系。

LumaSHIELD的温度传感器是建立在直接接触温度测量基础上的。该传感器和诸如热电偶及RTD(电阻温度装置)等传统温度传感器的工作原理相同。换句话说,半导体材料必须接触物体或浸入需要测量的液体或气体。接触越紧密,传感探头的热质量越小,半导体也会更快地对温度变化作出反应。我们需要通过传递光到半导体来测量吸收的程度。这就是光纤的功能所在。

在打磨良好的光纤的一端连接微型GaAs半导体。在该半导体的一侧预埋有反射介电膜。介电意味着不具备导电性;所有的材料都具有该性质(“高介电强度”),这也是我们公司传感器技术超出诸如热电偶及RTD等传统温度传感器(使用电线传递电信号)的主要优点之一。

       光纤上覆有保护套(由尼龙、聚亚胺或聚四氟乙烯制成),能适应运输和化学环境。然后整个端部组件(半导体和光纤端部)嵌入高温粘结剂,以保护传感器(即半导体)免遭化学腐蚀和机械损坏。


      砷化镓技术中,吸收跃变的计算不取决于这种特定仪器的信号强度,主要取决于相关光线的波长。影响光纤衰减的各种因素(光纤长度、数量和连接质量、光纤直径和材料以及弯曲度)均不会严重限制我们系统的使用。LumaSHIELD方法提供了可靠的重复温度测量方法,同时不会因为连接器中的电力损失或者光纤弯曲而出错。



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